JavaScript is currently disabled.Please enable it for a better experience of Jumi.
 Annonsera Utgivningsplan Månadsmagasinet Prenumerera Konsultguide Om oss  About / Advertise

Smart GaN är namnet på en ny teknik från brittiska Dialog Semiconductor. Först ut är en halvbrygga, baserad på två GaN-transistorer integrerade med drivning, logik och analoga block. Den halverar förlusterna vid kraftomvandling och är världens första i sitt slag att släppas på bred front från en större halvledartillverkare, hävdar Dialog.

Kretsen som Dialog Semiconductor planerar att släppa under årets fjärde kvartal heter DA8801. Det är den första i en framtida produktportfölj och tillverkas i taiwanesiska TSMC:s galliumnitrid-på-kisel-process som ger krafttransistorer på 650V.

Nykomlingen är en integrerad krets med en halvbrygga byggd av två GaN-transistorer samt analoga block, drivning, logik och skydd. Jämfört med motsvarande krets i kisel halverar denna förlusterna, enligt Dialog. Detta på grund av att GaN-transistorer är snabbare, mindre och effektivare än kiseltransistorer.

Till en början siktar Dialog på att Smart GaN-konstruktioner i kombination med företagets välkända styrenheter för kraftomvandling –  Rapid Charge – ska ta en plats i snabbladdare för smartmobiler och datorer. Sannolikt är det ett smart drag eftersom Dialogs Rapid Charge-controller redan idag har över 70 procent av den marknaden.

Enligt Dialog kan den nya tekniken minska storleken på kraftelektronik med 50 procent. Det betyder att en 45W-konstruktion skulle rymmas i en 25W-lösning av idag, eller kanske till och med få en mindre formfaktor.

 

 

MER LÄSNING:
 
Branschens egen tidning
För dig i branschen kostar det inget att prenumerera på vårt snygga pappers­magasin.

Klicka här!
SENASTE KOMMENTARER
Kommentarer via Disqus

Vi gör Elektroniktidningen

Anne-Charlotte Sparrvik

Anne-Charlotte
Sparrvik

+46(0)734-171099 ac@etn.se
(sälj och marknads­föring)
Per Henricsson

Per
Henricsson
+46(0)734-171303 per@etn.se
(redaktion)

Anna Wennberg

Anna
Wennberg
+46(0)734-171311 anna@etn.se
(redaktion)

Jan Tångring

Jan
Tångring
+46(0)734-171309 jan@etn.se
(redaktion)